PJMD360N60EC_L2_00001
Производитель Номер продукта:

PJMD360N60EC_L2_00001

Product Overview

Производитель:

Panjit International Inc.

Номер детали:

PJMD360N60EC_L2_00001-DG

Описание:

600V SUPER JUNCITON MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 87.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Инвентаризация:

5985 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12976224
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PJMD360N60EC_L2_00001 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
PANJIT
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
735 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
87.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
PJMD360

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
3757-PJMD360N60EC_L2_00001CT
3757-PJMD360N60EC_L2_00001TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nexperia

PMV164ENER

PMV164ENE/SOT23/TO-236AB

nexperia

PMN37ENEX

PMN37ENE/SOT457/SC-74

onsemi

NVD6414ANT4G-VF01

MOSFET N-CH 100V 32A DPAK

nexperia

2N7002HR

2N7002H/SOT23/TO-236AB