PJP4NA60_T0_00001
Производитель Номер продукта:

PJP4NA60_T0_00001

Product Overview

Производитель:

Panjit International Inc.

Номер детали:

PJP4NA60_T0_00001-DG

Описание:

600V N-CHANNEL MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 600 V 4A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB

Инвентаризация:

Запрос на предложение в Интернете
12972083
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PJP4NA60_T0_00001 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
PANJIT
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11.1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
450 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
100W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
PJP4

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
3757-PJP4NA60_T0_00001

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Связанные продукты
panjit

PJD100N04_L2_00001

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ5428_R2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ4402P-AU_R2_000A1

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD85N03-AU_L2_000A1

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M