PJP6NA90_T0_00001
Производитель Номер продукта:

PJP6NA90_T0_00001

Product Overview

Производитель:

Panjit International Inc.

Номер детали:

PJP6NA90_T0_00001-DG

Описание:

900V N-CHANNEL MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 900 V 6A (Ta) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB

Инвентаризация:

12971090
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PJP6NA90_T0_00001 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
PANJIT
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.3Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
915 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
167W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
PJP6

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
3757-PJP6NA90_T0_00001

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
panjit

PJQ5423_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

vishay-siliconix

SUD50P10-43L-BE3

MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK

panjit

PJD1NA50_L2_00001

500V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJD7NA60_R2_00001

600V N-CHANNEL MOSFET