Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
PJQ5606_R2_00001
Product Overview
Производитель:
Panjit International Inc.
Номер детали:
PJQ5606_R2_00001-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 30V 7A 8DFN
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 7A (Ta), 25A (Tc), 6.1A (Ta), 22A (Tc) 1.7W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount DFN5060B-8
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12970829
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PJQ5606_R2_00001 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
PANJIT
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel Complementary
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Ta), 25A (Tc), 6.1A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
429pF @ 25V, 846pF @ 15V
Мощность - Макс
1.7W (Ta), 21W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Комплект устройства поставщика
DFN5060B-8
Базовый номер продукта
PJQ5606
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
PJQ5606
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
3757-PJQ5606_R2_00001DKR
3757-PJQ5606_R2_00001CT
3757-PJQ5606_R2_00001TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PJS6600_S1_00001
MOSFET N/P-CH 30V 1.6A SOT23-6
PJX8802_R1_00001
MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT563
PJS6811_S1_00001
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A SOT23-6
PJX8805_R1_00001
MOSFET 2P-CH 30V 0.5A SOT563