Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
PJT7603_R1_00001
Product Overview
Производитель:
Panjit International Inc.
Номер детали:
PJT7603_R1_00001-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 50V 0.4A SOT363
Подробное описание:
Mosfet Array 50V 400mA (Ta), 250mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-363
Инвентаризация:
10696 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12974303
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PJT7603_R1_00001 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
PANJIT
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel Complementary
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
50V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
400mA (Ta), 250mA (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Мощность - Макс
350mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
SOT-363
Базовый номер продукта
PJT7603
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
PJT7603
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
3757-PJT7603_R1_00001TR
3757-PJT7603_R1_00001DKR
3757-PJT7603_R1_00001CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PJX8812_R1_00001
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
EFC2K102ANUZTDG
MOSFET 2N-CH 12V 33A 10WLCSP
FDPC8011S-AU01
MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
BSZ0908NDXTMA2
MOSFET 2N-CH 30V 4.8A WISON-8