Производитель Номер продукта:
2SA812B-T1B-AT
Product Overview
Производитель:
Renesas
Номер детали:
2SA812B-T1B-AT-DG
Описание:
2SA812B-T1B-AT - PNP SILICON EPI
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 100 mA 180MHz 200 mW Surface Mount 3-MINIMOLD
Инвентаризация:
201000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12976870
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SA812B-T1B-AT Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 10mA, 100mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
90 @ 1mA, 6V
Мощность - Макс
200 mW
Частота - переход
180MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект устройства поставщика
3-MINIMOLD
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,121
Другие названия
2156-2SA812B-T1B-AT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SBC847BLT1G-M01
SBC847 - TRANS BJTS NPN 45V
MJ15020
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 25
2SB1261(1)-AZ
2SB1261 - PNP SILICON EPITAXIAL
