Производитель Номер продукта:
2SC1213AB-E
Product Overview
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Номер детали:
2SC1213AB-E-DG
Описание:
TRANS NPN 50V 0.5A TO92
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 500 mA 400 mW Through Hole TO-92
Инвентаризация:
28647 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12941479
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SC1213AB-E Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
500 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
600mV @ 15mA, 150mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 3V
Мощность - Макс
400 mW
Частота - переход
-
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Комплект устройства поставщика
TO-92
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,159
Другие названия
RENRNS2SC1213AB-E
2156-2SC1213AB-E
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
0000.00.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BC817-16B5003
TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
CA3127ER2489
HIGH FREQUENCY NPN TRANSISTOR AR
2SC4452-3-TL-E
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
