Производитель Номер продукта:
2SD2106-E
Product Overview
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Номер детали:
2SD2106-E-DG
Описание:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 6 A 2 W Through Hole TO-220FM
Инвентаризация:
1147 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12933182
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SD2106-E Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Darlington
Ток - коллектор (IC) (макс.)
6 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
120 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
3V @ 60mA, 6A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
10µA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
1000 @ 3A, 3V
Мощность - Макс
2 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Комплект устройства поставщика
TO-220FM
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
171
Другие названия
2156-2SD2106-E
RENRNS2SD2106-E
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SMUN2130T1
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
2SD1286-Z-E1-AZ
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
2SB1229T-AA
PNP SILICON TRANSISTOR
