Производитель Номер продукта:
2SK1339-E
Product Overview
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Номер детали:
2SK1339-E-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
Подробное описание:
N-Channel 900 V 3A (Ta) 80W (Tc) Through Hole TO-3P
Инвентаризация:
12857795
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SK1339-E Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
425 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
80W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3P
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
2SK1339
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STP3NK90Z
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
361
Номер части
STP3NK90Z-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.77
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NDS9430
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
NVMFS6B85NLT3G
MOSFET N-CH 100V 5.6A/19A 5DFN
NDS352P
MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3
