Производитель Номер продукта:
2SK2221-E
Product Overview
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Номер детали:
2SK2221-E-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 8A TO3P
Подробное описание:
N-Channel 200 V 8A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Инвентаризация:
12858514
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SK2221-E Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
-
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
600 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
100W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3P
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
2SK2221
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTGS4141NT1G
MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
RJK0456DPB-00#J5
MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
NTMFS4C10NT1G-001
MOSFET N-CH 30V 8.2A/46A 5DFN
