GA4F3M(0)-T1-A
Производитель Номер продукта:

GA4F3M(0)-T1-A

Product Overview

Производитель:

Renesas

Номер детали:

GA4F3M(0)-T1-A-DG

Описание:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount SC-70

Инвентаризация:

63000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12986611
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

GA4F3M(0)-T1-A Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
2 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
2 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
50 @ 50mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
200mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA
Мощность - Макс
150 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-70, SOT-323
Комплект устройства поставщика
SC-70
Базовый номер продукта
GA4F3M

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,566
Другие названия
2156-GA4F3M(0)-T1-A

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nexperia

PDTC143ZQB-QZ

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN

nexperia

PDTB123YT/APGR

TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB

nexperia

PDTD123YT/APGR

TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2313,LF

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70