Производитель Номер продукта:
HAT1069C-EL-E
Product Overview
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Номер детали:
HAT1069C-EL-E-DG
Описание:
MOSFET P-CH 12V 4A 6CMFPAK
Подробное описание:
P-Channel 12 V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 6-CMFPAK
Инвентаризация:
12853828
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HAT1069C-EL-E Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
52mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1380 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
900mW (Ta)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-CMFPAK
Упаковка / Чехол
6-SMD, Flat Leads
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HAT2166H-EL-E
MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
2SK3385(0)-Z-E1-AZ
TRANSISTOR
MMBF2202PT1
MOSFET P-CH 20V 0.3A SOT-323
