Производитель Номер продукта:
HAT2131R-EL-E
Product Overview
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Номер детали:
HAT2131R-EL-E-DG
Описание:
MOSFET N-CH 350V 900MA 8SOP
Подробное описание:
N-Channel 350 V 900mA (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Инвентаризация:
12858543
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HAT2131R-EL-E Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
350 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
900mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3Ohm @ 450mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
460 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
HAT2131
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RJK4002DPD-00#J2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Renesas Electronics Corporation
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6000
Номер части
RJK4002DPD-00#J2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.50
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTMFS5C604NLT3G
MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN
NTD14N03RT4
MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
RFD14N05LSM9A
MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA