Производитель Номер продукта:
HAT2173HWS-E
Product Overview
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Номер детали:
HAT2173HWS-E-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 25A 5LFPAK
Подробное описание:
N-Channel 100 V 25A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount LFPAK
Инвентаризация:
12855534
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HAT2173HWS-E Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
8V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
15mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6V @ 20mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4350 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
30W (Tc)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
LFPAK
Упаковка / Чехол
SC-100, SOT-669
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NDP4050
MOSFET N-CH 50V 15A TO220-3
MTP23P06V
MOSFET P-CH 60V 23A TO220AB
NVTFS4C13NTWG
MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
