Производитель Номер продукта:
HAT2256RWS-E
Product Overview
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Номер детали:
HAT2256RWS-E-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 8A 8SOP
Подробное описание:
N-Channel 60 V 8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Инвентаризация:
12854238
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HAT2256RWS-E Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
30mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1210 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NP90N04NUK-S18-AY
MOSFET N-CH 40V 90A TO262
IRFZ44ESTRR
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
MTP10N10ELG
MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
