Производитель Номер продукта:
HAT2287WP-EL-E
Product Overview
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Номер детали:
HAT2287WP-EL-E-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 17A 8WPAK
Подробное описание:
N-Channel 200 V 17A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount 8-WPAK (3)
Инвентаризация:
12861224
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HAT2287WP-EL-E Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
94mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1200 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
30W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-WPAK (3)
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Базовый номер продукта
HAT2287
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FDMS2672
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1825
Номер части
FDMS2672-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.14
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HAT2197R-EL-E
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
IXFX24N100F
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3
NP109N055PUK-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
