Производитель Номер продукта:
HS54095TZ-E
Product Overview
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Номер детали:
HS54095TZ-E-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 200MA TO92-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 200mA (Ta) 750mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Инвентаризация:
12860299
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HS54095TZ-E Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
16.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
66 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
750mW (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-92-3
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STQ1NK60ZR-AP
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7349
Номер части
STQ1NK60ZR-AP-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.17
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTTFS010N10MCLTAG
MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
NP80N055KLE-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 80A TO263
SFT1443-H
MOSFET N-CH 100V 9A TP
