NESG2101M05-T1-A
Производитель Номер продукта:

NESG2101M05-T1-A

Product Overview

Производитель:

Renesas Electronics Corporation

Номер детали:

NESG2101M05-T1-A-DG

Описание:

NESG2101 - NPN SIGE RF TRANSISTO
Подробное описание:
RF Transistor NPN 5V 100mA 17GHz 500mW Surface Mount M05

Инвентаризация:

9000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947339
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

NESG2101M05-T1-A Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Биполярные радиочастотные транзисторы
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
5V
Частота - переход
17GHz
Коэффициент шума (дБ Typ @ f)
0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Прибыль
11dB ~ 19dB
Мощность - Макс
500mW
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
130 @ 15mA, 2V
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-343F
Комплект устройства поставщика
M05

Дополнительная информация

Стандартный пакет
555
Другие названия
2156-NESG2101M05-T1-A
RENRNSNESG2101M05-T1-A

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

2SC2714-Y(TE85L,F)

RF TRANS NPN 30V 550MHZ SMINI

diodes

ZTX325STOB

RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE

philips

BFS540115

TRANS RF NPN 15V 9GHZ SOT323

nxp-semiconductors

BFU530215

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR