Производитель Номер продукта:
NP100N055PUK-E1-AY
Product Overview
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Номер детали:
NP100N055PUK-E1-AY-DG
Описание:
MOSFET N-CH 55V 100A TO263
Подробное описание:
N-Channel 55 V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 176W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
910 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12861558
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NP100N055PUK-E1-AY Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.25mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7350 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta), 176W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
NP100N055
Технический паспорт и документы
Чертежи изделий
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
559-NP100N055PUK-E1-AYCT
-1161-NP100N055PUK-E1-AYCT
559-NP100N055PUK-E1-AYDKR
NP100N055PUK-E1-AY-DG
559-NP100N055PUK-E1-AYTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPP100N08S2L-07
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
NP50P04SDG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
HAF1002-90STL-E
MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK
