Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
NP35N04YUG-E1-AY
Product Overview
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Номер детали:
NP35N04YUG-E1-AY-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
Подробное описание:
N-Channel 40 V 35A (Tc) 1W (Ta), 77W (Tc) Surface Mount 8-HSON
Инвентаризация:
5000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12861388
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NP35N04YUG-E1-AY Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2850 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta), 77W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-HSON
Упаковка / Чехол
8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Базовый номер продукта
NP35N04
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
NP35N04YUG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
NP35N04YUG-E1-AYTR
NP35N04YUGE1AY
NP35N04YUG-E1-AY-DG
-1161-NP35N04YUG-E1-AYCT
NP35N04YUG-E1-AYDKR
NP35N04YUG-E1-AYCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SK1341-E
MOSFET N-CH 900V 6A TO3P
UPA2754GR(0)-E1-AY
TRANSISTOR
NP100N04PUK-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
IRF7464
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO