Производитель Номер продукта:
NP60N04NUK-S18-AY
Product Overview
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Номер детали:
NP60N04NUK-S18-AY-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 60A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 1.8W (Ta), 105W (Tc) Through Hole TO-262-3
Инвентаризация:
12858083
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NP60N04NUK-S18-AY Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3680 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta), 105W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262-3
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Базовый номер продукта
NP60N04
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPI70N04S406AKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
500
Номер части
IPI70N04S406AKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.80
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTF3055-100T1
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
IRF830ALPBF
MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK
NVC6S5A444NLZT1G
MOSFET N-CH 60V 3.5A 6CPH
