NP80N055MHE-S18-AY
Производитель Номер продукта:

NP80N055MHE-S18-AY

Product Overview

Производитель:

Renesas Electronics Corporation

Номер детали:

NP80N055MHE-S18-AY-DG

Описание:

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220-3

Инвентаризация:

12860198
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

NP80N055MHE-S18-AY Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3600 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta), 120W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
STP80NF55-08
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
48
Номер части
STP80NF55-08-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.25
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

ZSPM9000AI1R

MOSFET N-CH

onsemi

NTMFS5C410NLTT3G

MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN

panasonic

FK3506010L

MOSFET N-CH 60V 100MA SMINI3