Производитель Номер продукта:
NP83P06PDG-E1-AY
Product Overview
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Номер детали:
NP83P06PDG-E1-AY-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 83A TO263
Подробное описание:
P-Channel 60 V 83A (Tc) 1.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263
Инвентаризация:
12939180
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NP83P06PDG-E1-AY Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
83A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.8mOhm @ 41.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
10100 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta), 150W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
NP83P06PDG-E1-AYDKR
-1161-NP83P06PDG-E1-AYCT
NP83P06PDGE1AY
NP83P06PDG-E1-AY-DG
NP83P06PDG-E1-AYCT
NP83P06PDG-E1-AYTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SUM110P06-08L-E3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5687
Номер части
SUM110P06-08L-E3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.92
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STL19N60M6
MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
STB50N65DM6
MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
STD16N60M6
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
