Производитель Номер продукта:
NP88N03KDG-E1-AY
Product Overview
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Номер детали:
NP88N03KDG-E1-AY-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 88A TO263
Подробное описание:
N-Channel 30 V 88A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount TO-263
Инвентаризация:
12855829
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NP88N03KDG-E1-AY Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
88A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
13500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta), 200W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
NP88N03KDG-E1-AYCT
NP88N03KDG-E1-AYTR
NP88N03KDG-E1-AYDKR
NP88N03KDGE1AY
NP88N03KDG-E1-AY-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NVMTS0D7N04CTXG
MOSFET N-CH 40V 51A/430A 8DFNW
NTP75N03RG
MOSFET N-CH 25V 9.7A TO220AB
UPA2736GR-E1-AX
MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
