Производитель Номер продукта:
UPA2706GR-E1-AT
Product Overview
Производитель:
Renesas
Номер детали:
UPA2706GR-E1-AT-DG
Описание:
UPA2706GR-E1-AT - MOS FIELD EFFE
Подробное описание:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 20A (Tc) 3W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Инвентаризация:
7500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12976869
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
UPA2706GR-E1-AT Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Ta), 20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
15mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.1 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
660 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 15W (Tc)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Дополнительная информация
Стандартный пакет
258
Другие названия
2156-UPA2706GR-E1-AT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NP82N10PUF-E1-AY
NP82N10PUF-E1-AY - MOS FIELD EFF
2SK3447TZ-E
2SK3447TZ-E - SILICON N CHANNEL
HAT1091C-EL-E
HAT1091C-EL-E - SILICON P CHANNE
