UPA2815T1S-E2-AT
Производитель Номер продукта:

UPA2815T1S-E2-AT

Product Overview

Производитель:

Renesas Electronics Corporation

Номер детали:

UPA2815T1S-E2-AT-DG

Описание:

MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
Подробное описание:
P-Channel 30 V 21A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)

Инвентаризация:

10000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12858118
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

UPA2815T1S-E2-AT Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1760 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-HWSON (3.3x3.3)
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Базовый номер продукта
UPA2815

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,000
Другие названия
-1161-UPA2815T1S-E2-ATCT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

NVTFS5C478NLWFTAG

MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN

onsemi

NTD70N03R

MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK

onsemi

NTMFS6B05NT3G

MOSFET N-CH 100V 16A/104A 5DFN

onsemi

NDS356P

MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3