Производитель Номер продукта:
UPA2820T1S-E2-AT
Product Overview
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Номер детали:
UPA2820T1S-E2-AT-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 8HVSON
Подробное описание:
N-Channel 30 V 22A (Tc) 1.5W (Ta), 16W (Tc) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
Инвентаризация:
12855084
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
UPA2820T1S-E2-AT Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.3mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2330 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta), 16W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-HWSON (3.3x3.3)
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RFD14N05L
MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
RJK6002DPD-WS#J2
MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
NP40N10VDF-E2-AY
TRANSISTOR