Производитель Номер продукта:
BSM080D12P2C008
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
BSM080D12P2C008-DG
Описание:
SIC 2N-CH 1200V 80A MODULE
Подробное описание:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 80A (Tc) 600W Chassis Mount Module
Инвентаризация:
15 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13521952
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSM080D12P2C008 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tray
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
Silicon Carbide (SiC)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 13.2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
-
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
800pF @ 10V
Мощность - Макс
600W
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Упаковка / Чехол
Module
Комплект устройства поставщика
Module
Базовый номер продукта
BSM080
Технический паспорт и документы
Документы по надежности
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
12
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
EM6K31T2R
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
EM6K6T2R
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
