Производитель Номер продукта:
BSM250D17P2E004
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
BSM250D17P2E004-DG
Описание:
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
Подробное описание:
Mosfet Array 1700V (1.7kV) 250A (Tc) 1800W (Tc) Chassis Mount Module
Инвентаризация:
34 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13523882
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSM250D17P2E004 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Box
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
Silicon Carbide (SiC)
Конфигурация
2 N-Channel (Half Bridge)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1700V (1.7kV)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
250A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 66mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
-
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
30000pF @ 10V
Мощность - Макс
1800W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Упаковка / Чехол
Module
Комплект устройства поставщика
Module
Базовый номер продукта
BSM250
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HP8KA1TB
MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
HP8M31TB1
MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
BSM180D12P3C007
SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
