Производитель Номер продукта:
BSM300C12P3E301
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
BSM300C12P3E301-DG
Описание:
SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 300A (Tc) 1360W (Tc) Module
Инвентаризация:
13270349
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSM300C12P3E301 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
300A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
-
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.6V @ 80mA
Vgs (макс.)
+22V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1500 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
1360W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Комплект устройства поставщика
Module
Упаковка / Чехол
Module
Базовый номер продукта
BSM300
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4
Другие названия
846-BSM300C12P3E301
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPC60R037P7X7SA1
MOSFET N-CH HI POWER WAFER
IPC60R070CFD7X7SA1
MOSFET N-CH HI POWER WAFER
BUZ111SLE3045A
MOSFET N-CH 50V 80A TO263
