Производитель Номер продукта:
BSM600D12P4G103
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
BSM600D12P4G103-DG
Описание:
SIC 2N-CH 1200V 567A MODULE
Подробное описание:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 567A (Tc) 1.78kW (Tc) Chassis Mount Module
Инвентаризация:
4 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001987
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSM600D12P4G103 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Box
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
Silicon Carbide (SiC)
Конфигурация
2 N-Channel
Функция полевых транзисторов
Standard
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
567A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.8V @ 291.2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
-
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
59000pF @ 10V
Мощность - Макс
1.78kW (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Упаковка / Чехол
Module
Комплект устройства поставщика
Module
Базовый номер продукта
BSM600
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4
Другие названия
846-BSM600D12P4G103
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2N7002DWL-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT23-6L
G2K3N10L6
MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6L
PSMN045-100HLX
MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
