DTA114EBT2L
Производитель Номер продукта:

DTA114EBT2L

Product Overview

Производитель:

Rohm Semiconductor

Номер детали:

DTA114EBT2L-DG

Описание:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMN3
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMN3

Инвентаризация:

12996861
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DTA114EBT2L Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
10 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
10 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
250 MHz
Мощность - Макс
150 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-923F
Комплект устройства поставщика
VMN3
Базовый номер продукта
DTA114

Дополнительная информация

Стандартный пакет
8,000
Другие названия
846-DTA114EBT2LTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nxp-semiconductors

PDTC143EQAZ

TRANS PREBIAS 50V 100MA

nxp-semiconductors

PDTC144TM,315

TRANS PREBIAS

nexperia

PDTC123JQBZ

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN

nexperia

PDTC114EU/8X

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323