Производитель Номер продукта:
DTA123JE3TL
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
DTA123JE3TL-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT3
Инвентаризация:
3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12998191
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DTA123JE3TL Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
DTC123J
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased + Diode
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
2.2 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA (ICBO)
Частота - переход
250 MHz
Мощность - Макс
150 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-75, SOT-416
Комплект устройства поставщика
EMT3
Базовый номер продукта
DTA123
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
846-DTA123JE3TLTR
846-DTA123JE3TLCT
846-DTA123JE3TLDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DTA143ZE3TL
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
DTA143TE3TL
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
DTA114YE3TL
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3