Производитель Номер продукта:
DTD114ESTP
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
DTD114ESTP-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SPT
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 300 mW Through Hole SPT
Инвентаризация:
13523278
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DTD114ESTP Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
500 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
10 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
10 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
56 @ 50mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
200 MHz
Мощность - Макс
300 mW
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
SC-72 Formed Leads
Комплект устройства поставщика
SPT
Базовый номер продукта
DTD114
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DTA143EUBHZGTL
TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3F
DTC124XCAHZGT116
TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
DTD123TCT116
TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SST3
