Производитель Номер продукта:
DTD123TSTP
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
DTD123TSTP-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SPT
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40 V 500 mA 200 MHz 300 mW Through Hole SPT
Инвентаризация:
13523069
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DTD123TSTP Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
500 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
40 V
Резистор - база (R1)
2.2 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA (ICBO)
Частота - переход
200 MHz
Мощность - Макс
300 mW
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
SC-72 Formed Leads
Комплект устройства поставщика
SPT
Базовый номер продукта
DTD123
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DTC114YUAT106
TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3
DTC044EUBTL
TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
DTC114TSATP
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SPT