Производитель Номер продукта:
EMF20T2R
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
EMF20T2R-DG
Описание:
TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 150MA/
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA, 150mA 250MHz, 180MHz 150mW Surface Mount EMT6
Инвентаризация:
12995495
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
EMF20T2R Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA, 150mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
47kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA, 100nA (ICBO)
Частота - переход
250MHz, 180MHz
Мощность - Макс
150mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
EMT6
Базовый номер продукта
EMF20
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8,000
Другие названия
846-EMF20T2RTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
EMF23T2R
TRANS DIGITAL BJT NPN/PNP 50V 10
EMF7T2R
TRANS DIGITAL BJT NPN 12V 500MA/
EMB18T2R
TRANS DIGITAL BJT PNP 50V 100MA
