Производитель Номер продукта:
EMH3T2R
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
EMH3T2R-DG
Описание:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Инвентаризация:
528 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13521842
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
EMH3T2R Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
4.7kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
-
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
-
Частота - переход
250MHz
Мощность - Макс
150mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
EMT6
Базовый номер продукта
EMH3T2
Технический паспорт и документы
Документы по надежности
Ресурсы для проектирования
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8,000
Другие названия
EMH3T2R-ND
EMH3T2RTR
EMH3T2RCT
EMH3T2RDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
PEMD6,115
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4000
Номер части
PEMD6,115-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.06
Тип замещения
Similar
Номер детали
RN1910FE,LF(CT
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4750
Номер части
RN1910FE,LF(CT-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
