Производитель Номер продукта:
HS8K11TB
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
HS8K11TB-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 7A, 11A 2W Surface Mount HSML3030L10
Инвентаризация:
1372 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13524843
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HS8K11TB Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A, 11A
Rds On (макс.) @ id, vgs
17.9mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11.1nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
500pF @ 15V
Мощность - Макс
2W
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-UDFN Exposed Pad
Комплект устройства поставщика
HSML3030L10
Базовый номер продукта
HS8K11
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
HS8K11TBDKR
HS8K11TBCT
HS8K11TBTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SM6K2T110
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SMT6
SH8K41GZETB
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
TT8M3TR
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
