Производитель Номер продукта:
IMD23T108
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
IMD23T108-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 200MHz, 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Инвентаризация:
13525027
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IMD23T108 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Not For New Designs
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA, 500mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
1kOhms, 10kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
10kOhms, 10kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
56 @ 50mA, 5V / 30 @ 5mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 50mA, 2.5mA / 300mV @ 10mA, 500µA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
-
Частота - переход
200MHz, 250MHz
Мощность - Макс
300mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-74, SOT-457
Комплект устройства поставщика
SMT6
Базовый номер продукта
IMD23
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RN4603(TE85L,F)
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
RN4603(TE85L,F)-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.04
Тип замещения
Similar
Номер детали
PIMD2,125
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2941
Номер части
PIMD2,125-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.04
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
UMB10NTN
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
UMH3NFHATN
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH
UMH10NTN
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6