Производитель Номер продукта:
IMH23T110
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
IMH23T110-DG
Описание:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 20V 600mA 150MHz 300mW Surface Mount SMT6
Инвентаризация:
1809 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13525604
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IMH23T110 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
600mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
20V
Резистор - база (R1)
4.7kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
-
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
820 @ 50mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
150mV @ 2.5mA, 50mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
-
Частота - переход
150MHz
Мощность - Макс
300mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-74, SOT-457
Комплект устройства поставщика
SMT6
Базовый номер продукта
IMH23
Технический паспорт и документы
Документы по надежности
Ресурсы для проектирования
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
IMH23T110CT
IMH23T110-ND
IMH23T110TR
IMH23T110DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
