R6004PND3FRATL
Производитель Номер продукта:

R6004PND3FRATL

Product Overview

Производитель:

Rohm Semiconductor

Номер детали:

R6004PND3FRATL-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Подробное описание:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount TO-252

Инвентаризация:

4541 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12953981
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

R6004PND3FRATL Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
280 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
65W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
R6004

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
846-R6004PND3FRATLTR
846-R6004PND3FRATLCT
846-R6004PND3FRATLDKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TQM250NB06CR RLG

MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU

vishay-siliconix

SISS32ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK

renesas-electronics-america

2SJ325-AY

P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

vishay-siliconix

IRFBC30PBF-BE3

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB