Производитель Номер продукта:
R6006JNJGTL
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6006JNJGTL-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 6A LPTS
Подробное описание:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount LPTS
Инвентаризация:
1098 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13527337
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6006JNJGTL Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V
Rds On (макс.) @ id, vgs
936mOhm @ 3A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
7V @ 800µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15.5 nC @ 15 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
410 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
86W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
LPTS
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
R6006
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
R6006JNJGTLTR
R6006JNJGTLCT
R6006JNJGTLDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
R6020JNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 20A TO247G
QS5U23TR
MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
RZR025P01TL
MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
