R6006KND3TL1
Производитель Номер продукта:

R6006KND3TL1

Product Overview

Производитель:

Rohm Semiconductor

Номер детали:

R6006KND3TL1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Подробное описание:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-252

Инвентаризация:

2663 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12850604
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

R6006KND3TL1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
830mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
70W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
R6006

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
846-R6006KND3TL1TR
846-R6006KND3TL1DKR
846-R6006KND3TL1CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

FDP8442

MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3

onsemi

FCPF220N80

MOSFET N-CH 800V 23A TO220F

onsemi

EFC4612R-W-TR

MOSFET N-CH 24V 6A EFCP

onsemi

FQI27N25TU-F085

MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK