Производитель Номер продукта:
R6007JNXC7G
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6007JNXC7G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Подробное описание:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220FM
Инвентаризация:
2019 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13527079
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6007JNXC7G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V
Rds On (макс.) @ id, vgs
780mOhm @ 3.5A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
7V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17.5 nC @ 15 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
475 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
46W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220FM
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
R6007
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
R8008ANJFRGTL
MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
RSC002P03T316
MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
RD3T100CNTL1
MOSFET N-CH 200V 10A TO252