Производитель Номер продукта:
R6009JNJGTL
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6009JNJGTL-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Подробное описание:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount LPTS
Инвентаризация:
1000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13526555
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6009JNJGTL Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V
Rds On (макс.) @ id, vgs
585mOhm @ 4.5A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
7V @ 1.38mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 15 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
645 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
LPTS
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
R6009
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
R6009JNJGTLCT
R6009JNJGTLDKR
R6009JNJGTLTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RQ3E180GNTB
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
RD3G500GNTL
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
RXH125N03TB1
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP
