Производитель Номер продукта:
R6009JNXC7G
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6009JNXC7G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Подробное описание:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 53W (Tc) Through Hole TO-220FM
Инвентаризация:
1899 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13526601
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6009JNXC7G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V
Rds On (макс.) @ id, vgs
585mOhm @ 4.5A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
7V @ 1.38mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 15 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
645 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
53W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220FM
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
R6009
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
US5U1TR
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
RS1E350BNTB
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
RD3P200SNFRATL
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
