Производитель Номер продукта:
R6013VND3TL1
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6013VND3TL1-DG
Описание:
600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH
Подробное описание:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 131W (Tc) Surface Mount TO-252
Инвентаризация:
2561 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001570
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6013VND3TL1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V, 15V
Rds On (макс.) @ id, vgs
300mOhm @ 3A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6.5V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
900 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
131W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
R6013VN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
846-R6013VND3TL1TR
846-R6013VND3TL1DKR
846-R6013VND3TL1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMTH45M5LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
GT060N04K
MOSFET, N-CH, 40V,54A,TO-252
GT090N06K
MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
