Производитель Номер продукта:
R6013VNXC7G
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6013VNXC7G-DG
Описание:
600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH
Подробное описание:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220FM
Инвентаризация:
1080 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001925
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6013VNXC7G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V, 15V
Rds On (макс.) @ id, vgs
300mOhm @ 3A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6.5V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
900 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
54W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220FM
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
R6013VN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
846-R6013VNXC7G
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ICE10N60FP
Superjunction MOSFET
ICE60N130W
Superjunction MOSFET
SIHK105N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
