Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
R6020ENZ1C9
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6020ENZ1C9-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Подробное описание:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
13527199
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6020ENZ1C9 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
196mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
120W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
R6020ENZ1C9
Дополнительная информация
Стандартный пакет
450
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXFH42N60P3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXFH42N60P3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
4.39
Тип замещения
Similar
Номер детали
APT34M60B
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Microchip Technology
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
APT34M60B-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
11.84
Тип замещения
Similar
Номер детали
IPW65R190C7XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
220
Номер части
IPW65R190C7XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.69
Тип замещения
Similar
Номер детали
TK20N60W,S1VF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
15
Номер части
TK20N60W,S1VF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.83
Тип замещения
Similar
Номер детали
STW28N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
96
Номер части
STW28N60M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.56
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RD3L150SNTL1
MOSFET N-CH 60V 15A TO252
RQ3E080BNTB
MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
RSS075P03FU6TB
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP
RSS120N03FU6TB
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP