Производитель Номер продукта:
R6022YNZ4C13
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6022YNZ4C13-DG
Описание:
NCH 600V 22A, TO-247, POWER MOSF
Подробное описание:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-247G
Инвентаризация:
600 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001130
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6022YNZ4C13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V, 12V
Rds On (макс.) @ id, vgs
165mOhm @ 6.5A, 12V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6V @ 1.8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1400 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
205W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247G
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
R6022
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
846-R6022YNZ4C13
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
R6014YND3TL1
NCH 600V 14A, TO-252, POWER MOSF
R6014YNX3C16
NCH 600V 14A, TO-220AB, POWER MO
PJQ5453E-AU_R2_002A1
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
